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貿澤推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驅動器 高頻應用的好選擇

放大字體  縮小字體 發(fā)布日期:2019-10-15  瀏覽次數(shù):579
     2019年9月26日–專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿澤電子(Mouser Electronics)即日起開始備貨Texas Instruments(TI)LMG1210200V半橋MOSFET和GaNFET驅動器。LMG1210是TI性能出眾的氮化鎵(GaN)電源產品系列,與傳統(tǒng)硅替代方案相比,擁有更高的效率與功率密度,以及更小的整體系統(tǒng)尺寸,并專門針對速度關鍵型功率轉換應用進行了優(yōu)化。

貿澤推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驅動器 高頻應用的好選擇

TILMG1210是一款50MHz半橋驅動器,經過特別設計,能與電壓高達200V的增強模式GaNFET搭配使用。LMG1210能實現(xiàn)超高性能與高效運行,并具有10ns的超短傳播延遲,優(yōu)于傳統(tǒng)硅半橋驅動器。此器件還具有1pF的低開關節(jié)點電容和用戶可調的死區(qū)時間控制,可讓設計人員優(yōu)化系統(tǒng)內的死區(qū)時間,進而改善效率。

LMG1210擁有3.4ns高側/低側延遲匹配、4ns*小脈寬和內部LDO,可確保在任何電源電壓下都能維持5V的柵極驅動電壓。本驅動器還具備超過300V/ns的業(yè)內超高共模瞬態(tài)抗擾度(CMTT),可實現(xiàn)較高的系統(tǒng)抗擾性。

TILMG1210驅動器適用于高速DC/DC轉換器、電機控制、D類音頻放大器、E類無線充電、RF包絡跟蹤以及其他功率轉換應用。


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